內存dram的分類介紹
作者：佚名 時間：2012-03-09 分享到：
由于對提高內存速度的要求,不斷有新的dram出現,它們已不再是單純的存儲單元電路,而是將某些外部電路也一并收容在芯片內,dram主要有以下幾種:
1.cdram(高速緩沖存儲器dram).它是在dram芯片上增加一級高速緩沖存儲器,提高dram的速度.
2.edram(增強型dram).它看兩個特點,一是采用了一種場屏蔽的結構的新的cmos制造工藝,它有效地隔離芯片上的晶體管并降低它們的結電容,使晶體管開關加速,二是在dram芯片上增加一個sram高速緩沖存儲器,行寄存器用來提供零等待狀態讀出命中和脈沖讀出周期以提高速度.
3.mdram(多體dram).它是把ram芯片劃分成多個(4個,64個或256個)小的存儲體,使其存取速度比整個存儲體集中在一起要快得多.
4.sdram(同步dram).一般的dram都是異步控制的,即處理器向存儲器發出地址和控制電平,指出一組數據要讀出或者定稿,要經過一段延時才能完成.造成這一段延時的原因是,dram要完成許多內部工作,如讀出數據,選擇路徑,輸出數據等.這就是常說的等等時間,降低了cpu效率.
5.rdram(rambus dram).rdram芯片及其模塊的設計和規范是rambus公司的專利,rdram內在是一個窄通道內在.通道工作速率800mhz,傳輸速率1.6gb/s,采用雙通道設計則可達3.2gb/s.一個通道可掛 接32個rdram芯片,每個芯片都是rdram內在的一個存儲體.通道的一端連接rdram內在控制器,另一端連接位于主板上的終結器.
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